金沢大学(金大)は2月17日、完全に平坦なダイヤモンド表面をMOS界面に有するダイヤモンドMOSFETを作製することに成功したと ...

FLOSFIAは7月1日、酸化ガリウム(α-Ga 2 O 3)を用いた次世代パワー半導体として、p層(導電型p型半導体層)の改良を通じて、MOSFETでのノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作(ドレイン電流14.3A、ゲート電圧15V時)を実現したことを発表した。 同社はこれまで ...

当社は、SiC (炭化ケイ素) トレンチMOSFET注1の損失 (オン抵抗注2)低減を可能にした上で、UIS耐量注3を向上させる技術と、高温でのオン抵抗上昇を抑制するSiCセミスーパージャンクション注4ショットキーバリアダイオード (SJ-SBD) を開発しました。これら2つの ...

東芝デバイス&ストレージは5月24日、車載半導体事業の取り組みについて説明会を開催した。東芝デバイス＆ストレージ 半導体応用技術センター車載ソリューション応用技術部シニアマネジャーの来島正一郎氏は、「東芝は長年に渡り、車載市場にパワー ...

ローム株式会社（本社:京都市）は、48V系電源のAIサーバー向けホットスワップ回路（*1）や、バッテリー保護が求められる ...

"Olá! Se você acredita que é possível realizar projetos incríveis, mas com baixo custo, aprendendo muito e desenvolvendo novas habilidades! Você está no lugar certo! Aqui você aprenderá sobre Arduino, ...