会期：4月10日～4月14日(現地時間) 会場：米国 カリフォルニア州モントレー Hyatt Regency Monterey 半導体デバイスの信頼性技術に関する世界最大の国際会議「国際信頼性物理シンポジウム(IRPS：International Reliability Physics Symposium)」が4月10日～14日に米国 ...

3D NANDフラッシュの行き過ぎた高層化による弊害 NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した ...

半導体製造は今、「デバイス構造の3次元化」という共通課題に直面している。先端品がそろって垂直方向の面積利用に集積化の活路を見出したからだ。複雑な3次元構造を、いかに欠陥なく、高精度に、速く製造できるか。製造装置メーカーへの要求は難解 ...

Abstract: This paper presents a new design of a 2 to 4 decoder constructed using 3-transistor NAND gates, contrasting it with the conventional 4 transistor NAND gate-based technique. The primary aim ...

SSD enthusiasts know all about SLC, MLC, and TLC, but there are some new acronyms in SSD town: V-NAND and CTF. Samsung announced in a press release last night that it has begun mass production of "3D ...

The NAND flash technology that Toshiba introduced in 1989, making thumb drives, SSDs and your smartphone’s memory possible, has finally reached a development dead end. Toshiba and other major ...

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This is a simple problem: I want to construct a NAND gate using a P-mos and N-mos , a source and a ground. When the input is 0 ,the output is 1 ,it is accurate,but the input is 1 the output is U, Why?