「Flash Memory Summit 2009」の最終日午前には、次世代半導体メモリ技術に関するプレナリセッションが開かれた。新しいアイデアに基づくメモリ素子を開発中あるいは製品化したベンチャー企業が、各自のメモリ技術の最新状況を説明するというセッションだっ ...

次世代のメモリとストレージに関する世界最大のイベント「フューチャー・メモリ・アンド・ストレージ(FMS:Future Memory and Storage)」が、2024年8月6日～8日(米国太平洋時間)に米国カリフォルニア州の「サンタクララコンベンションセンター(SCCC:Santa Clara Convention ...

2018年8月に開催されたフラッシュメモリの展示会・講演会イベント「Flash Memory Summit」で、NANDフラッシュメモリのメーカー各社が次世代の製品やアーキテクチャのロードマップを明らかにした。 予想された通り、Intel、Micron Technology、SK Hynix、東芝メモリの各 ...

量子力学の井戸型ポテンシャルを超格子構造で実現、英国のスタートアップQuinas Technology社は、メモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory Startup部門で最優秀賞を受賞した。このメモリは英ランカスター大学のManas Hayne教授が ...

世界初、QLC技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH(TM)」の開発について 当社は、世界で初めて（注1）4ビット/セル ...

3D NANDフラッシュメモリ市場は大幅な成長を遂げており、2024年の280億米ドルから2033年には920億米ドルに達し、2025年から2033年までの年平均成長率（CAGR）は17％になると予測されている。このような急成長の背景には、データストレージ技術の進歩、データ ...

フラッシュメモリーとRAMを組み合わせ、最大1Gbitまで対応。 同社では、今年後半には、1個のセルに2bitのデータを格納できる多値セル技術を採用した“Intel StrataFlash”メモリーのサンプル出荷を開始する予定。 512MbitのスタックドCSPで提供するとしている。

フラッシュメモリは、データを書き込んだり読み出したりすることができる記憶装置の一種です。1987年に東芝によって開発されました。 電源を切っても記憶を失わないという特徴がある一方で、データの消去を一瞬で行えるという特徴も持っていること ...

第1回の連載では、フラッシュメモリ自体の構造と進化について解説を行いました。そして今回は、フラッシュメモリをコンピュータに利用する際の構成や、CPUに使われるキャッシュとの違いについて紹介します。 ＞＞仮想化専用フラッシュ・ストレージ ...

VAIO 「type G」の上面。出っ張りのないフラットなデザインなので、鞄などへの収まりもよい VAIO 「type G」は、他のVAIOシリーズと同様に、一般の店頭で販売される店頭モデルと直販サイトなどで注文が可能なVAIOオーナーメードモデルに大別できる。今回登場し ...